芯片托盘老化炉,芯片托盘校固化炉
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芯片托盘防变形隧道炉参数如下：
内胆尺寸：长3000*宽，330*高 150mm，炉口净高 50mm，配手动调节门。
外形尺寸（约）：长3000*宽 650*高 2150日mm，地面离输送面高度1350mm±25mm，进／出料段各留500rnrn。
温度范围：室温＋10～＋250℃可调节。
温度波动度： 小于等于±l °C。
温度均匀度：小于等于土3℃（恒温状态下， 空载测试）。
升温速率： 大于等于5-10度／分。
外壳温度： 温升不超过环境＋15℃， 接缝处周边除外。
循环风方式：水平循环运风
电源：二相五线制， 380V, 50HZ
功率： 约14KW
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